Nexperia USA Inc. - PSMN4R3-100PS,127

KEY Part #: K6416343

PSMN4R3-100PS,127 Цены (доллары США) [30461шт сток]

  • 1 pcs$1.35295
  • 10 pcs$1.22162
  • 100 pcs$0.93132
  • 500 pcs$0.72436
  • 1,000 pcs$0.60018

номер части:
PSMN4R3-100PS,127
производитель:
Nexperia USA Inc.
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы специального назначения, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис and Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Nexperia USA Inc. PSMN4R3-100PS,127 electronic components. PSMN4R3-100PS,127 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN4R3-100PS,127, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN4R3-100PS,127 Атрибуты продукта

номер части : PSMN4R3-100PS,127
производитель : Nexperia USA Inc.
Описание : MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 120A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.3 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 170nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 9900pF @ 50V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 338W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220AB
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • BS170

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • FDD7N20TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK.

  • IRLR8726TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 86A DPAK.

  • FQD2N90TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK.

  • FDD16AN08A0

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK.

  • IRFR3710ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 42A DPAK.