Toshiba Semiconductor and Storage - TK35N65W,S1F

KEY Part #: K6397725

TK35N65W,S1F Цены (доллары США) [13079шт сток]

  • 1 pcs$3.46831
  • 30 pcs$2.84222
  • 120 pcs$2.56491
  • 510 pcs$2.14898
  • 1,020 pcs$1.87170

номер части:
TK35N65W,S1F
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
MOSFET N-CH 650V 35A TO-247.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - мостовые выпрямители, Тиристоры - СКВ and Диоды - Выпрямители - Одиночные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK35N65W,S1F electronic components. TK35N65W,S1F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK35N65W,S1F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK35N65W,S1F Атрибуты продукта

номер части : TK35N65W,S1F
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : MOSFET N-CH 650V 35A TO-247
Серии : DTMOSIV
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 650V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 35A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 2.1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 100nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 4100pF @ 300V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 270W (Tc)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-247
Пакет / Дело : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • TK58A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 58A TO-220.

  • TK34A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 34A TO-220.

  • TK100A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 100A TO-220.