IXYS - IXFH30N50P

KEY Part #: K6394545

IXFH30N50P Цены (доллары США) [18102шт сток]

  • 1 pcs$3.19507
  • 10 pcs$2.87380
  • 100 pcs$2.36272
  • 500 pcs$1.97958
  • 1,000 pcs$1.72415

номер части:
IXFH30N50P
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AD.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы специального назначения, Транзисторы - JFETs, Тиристоры - СКВ - Модули, Модули питания драйверов, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) and Тиристоры - DIAC, SIDAC ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFH30N50P electronic components. IXFH30N50P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH30N50P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH30N50P Атрибуты продукта

номер части : IXFH30N50P
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AD
Серии : HiPerFET™, PolarHT™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 500V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 30A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 200 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 70nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 4150pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 460W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-247AD (IXFH)
Пакет / Дело : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в