Nexperia USA Inc. - BSS87,115

KEY Part #: K6395948

BSS87,115 Цены (доллары США) [515837шт сток]

  • 1 pcs$0.07581
  • 1,000 pcs$0.07544

номер части:
BSS87,115
производитель:
Nexperia USA Inc.
Подробное описание:
MOSFET N-CH 200V 400MA SOT89.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Модули питания драйверов, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - РФ, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Тиристоры - СКВ and Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Nexperia USA Inc. BSS87,115 electronic components. BSS87,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSS87,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSS87,115 Атрибуты продукта

номер части : BSS87,115
производитель : Nexperia USA Inc.
Описание : MOSFET N-CH 200V 400MA SOT89
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 200V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 400mA (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 400mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : -
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 120pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 580mW (Ta), 12.5W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : SOT-89
Пакет / Дело : TO-243AA

Вы также можете быть заинтересованы в