номер части :
VS-GT300YH120N
производитель :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание :
IGBT 1200V 341A 1042W DIAP
Состояние детали :
Active
конфигурация :
Half Bridge
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) :
1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) :
341A
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic :
2.17V @ 15V, 300A (Typ)
Ток - отсечка коллектора (макс.) :
300µA
Входная емкость (Cies) @ Vce :
36nF @ 30V
Рабочая Температура :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа :
Chassis Mount
Пакет / Дело :
Double INT-A-PAK (3 + 8)
Комплект поставки устройства :
Double INT-A-PAK