ON Semiconductor - FQPF9N25CYDTU

KEY Part #: K6419256

FQPF9N25CYDTU Цены (доллары США) [99980шт сток]

  • 1 pcs$0.39304
  • 800 pcs$0.39109

номер части:
FQPF9N25CYDTU
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - СКВ, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) and Тиристоры - СКВ - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FQPF9N25CYDTU electronic components. FQPF9N25CYDTU can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQPF9N25CYDTU, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQPF9N25CYDTU Атрибуты продукта

номер части : FQPF9N25CYDTU
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F
Серии : QFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 250V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 8.8A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 430 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 35nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 710pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 38W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220F-3 (Y-Forming)
Пакет / Дело : TO-220-3 Full Pack, Formed Leads