Microsemi Corporation - APT46GA90JD40

KEY Part #: K6532676

APT46GA90JD40 Цены (доллары США) [2993шт сток]

  • 1 pcs$14.46886
  • 10 pcs$13.38381
  • 25 pcs$12.29876
  • 100 pcs$11.43054

номер части:
APT46GA90JD40
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
IGBT 900V 87A 284W SOT-227.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - Программируемый однопереход, Тиристоры - СКВ - Модули, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - JFETs and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation APT46GA90JD40 electronic components. APT46GA90JD40 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT46GA90JD40, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT46GA90JD40 Атрибуты продукта

номер части : APT46GA90JD40
производитель : Microsemi Corporation
Описание : IGBT 900V 87A 284W SOT-227
Серии : POWER MOS 8™
Состояние детали : Active
Тип IGBT : PT
конфигурация : Single
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 900V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 87A
Мощность - Макс : 284W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 3.1V @ 15V, 47A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 350µA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 4.17nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : No
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : SOT-227-4, miniBLOC
Комплект поставки устройства : ISOTOP®

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.