производитель :
Microsemi Corporation
Описание :
DIODE GEN PURP 200V 30A DO4
Состояние детали :
Active
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
200V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
30A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
975mV @ 30A
скорость :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
35ns
Ток - обратная утечка @ Vr :
15µA @ 200V
Емкость @ Vr, F :
140pF @ 10V, 1MHz
Тип монтажа :
Chassis, Stud Mount
Пакет / Дело :
DO-203AA, DO-4, Stud
Комплект поставки устройства :
DO-4
Рабочая температура - соединение :
-65°C ~ 175°C