Diodes Incorporated - ZXMN6A11DN8TA

KEY Part #: K6523180

ZXMN6A11DN8TA Цены (доллары США) [173187шт сток]

  • 1 pcs$0.21357
  • 500 pcs$0.19577

номер части:
ZXMN6A11DN8TA
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - IGBT - Single, Тиристоры - СКВ, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Тиристоры - ТРИАКС and Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated ZXMN6A11DN8TA electronic components. ZXMN6A11DN8TA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMN6A11DN8TA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ZXMN6A11DN8TA Атрибуты продукта

номер части : ZXMN6A11DN8TA
производитель : Diodes Incorporated
Описание : MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : 2 N-Channel (Dual)
Функция FET : Logic Level Gate
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 5.7nC @ 10V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 330pF @ 40V
Мощность - Макс : 1.8W
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Комплект поставки устройства : 8-SOP

Вы также можете быть заинтересованы в