IXYS - IXYN120N120C3

KEY Part #: K6532726

IXYN120N120C3 Цены (доллары США) [3274шт сток]

  • 1 pcs$13.92892
  • 10 pcs$13.85962

номер части:
IXYN120N120C3
производитель:
IXYS
Подробное описание:
IGBT 1200 SOT227B.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - РФ, Тиристоры - СКВ - Модули and Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXYN120N120C3 electronic components. IXYN120N120C3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXYN120N120C3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXYN120N120C3 Атрибуты продукта

номер части : IXYN120N120C3
производитель : IXYS
Описание : IGBT 1200 SOT227B
Серии : GenX3™, XPT™
Состояние детали : Active
Тип IGBT : -
конфигурация : Single
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 240A
Мощность - Макс : 1200W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 3.2V @ 15V, 120A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 25µA
Входная емкость (Cies) @ Vce : -
вход : Standard
NTC Термистор : No
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : SOT-227-4, miniBLOC
Комплект поставки устройства : SOT-227B

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-GB90SA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • VS-GB75NA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT