Microsemi Corporation - APT13F120B

KEY Part #: K6394516

APT13F120B Цены (доллары США) [8305шт сток]

  • 1 pcs$5.46027
  • 10 pcs$4.96449
  • 100 pcs$4.21975
  • 500 pcs$3.59921

номер части:
APT13F120B
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
MOSFET N-CH 1200V 14A TO247.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Программируемый однопереход, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF and Транзисторы специального назначения ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation APT13F120B electronic components. APT13F120B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT13F120B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT13F120B Атрибуты продукта

номер части : APT13F120B
производитель : Microsemi Corporation
Описание : MOSFET N-CH 1200V 14A TO247
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 1200V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 14A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 145nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 4765pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 625W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-247 [B]
Пакет / Дело : TO-247-3