Vishay Semiconductor Diodes Division - MSE1PJ-M3/89A

KEY Part #: K6457898

MSE1PJ-M3/89A Цены (доллары США) [1344083шт сток]

  • 1 pcs$0.02752
  • 4,500 pcs$0.02627
  • 9,000 pcs$0.02284
  • 13,500 pcs$0.01942
  • 31,500 pcs$0.01827
  • 112,500 pcs$0.01523

номер части:
MSE1PJ-M3/89A
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 600V 1A MICROSMP. Rectifiers 1.0 Amp 600 Volt 20 Amp IFSM
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Single, Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Тиристоры - СКВ, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные and Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division MSE1PJ-M3/89A electronic components. MSE1PJ-M3/89A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MSE1PJ-M3/89A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MSE1PJ-M3/89A Атрибуты продукта

номер части : MSE1PJ-M3/89A
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 600V 1A MICROSMP
Серии : eSMP®
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 600V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.1V @ 1A
скорость : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 780ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 1µA @ 600V
Емкость @ Vr, F : 5pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : MicroSMP
Комплект поставки устройства : MicroSMP (DO-219AD)
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 175°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • EGL34A-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 0.5 Amp 50 Volt 50ns

  • RGL34B-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • RGL34D-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • RGL34B-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • RGL34J-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM

  • BYM07-200-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 200 Volt