Microsemi Corporation - APTGT50H60T1G

KEY Part #: K6533086

APTGT50H60T1G Цены (доллары США) [2475шт сток]

  • 1 pcs$17.50148
  • 100 pcs$17.08326

номер части:
APTGT50H60T1G
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы специального назначения and Тиристоры - СКВ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation APTGT50H60T1G electronic components. APTGT50H60T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGT50H60T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGT50H60T1G Атрибуты продукта

номер части : APTGT50H60T1G
производитель : Microsemi Corporation
Описание : IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
конфигурация : Full Bridge Inverter
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 600V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 80A
Мощность - Макс : 176W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 50A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 250µA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 3.15nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : Yes
Рабочая Температура : -40°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : SP1
Комплект поставки устройства : SP1

Вы также можете быть заинтересованы в