Nexperia USA Inc. - PSMN012-100YS,115

KEY Part #: K6420115

PSMN012-100YS,115 Цены (доллары США) [161708шт сток]

  • 1 pcs$0.22987
  • 1,500 pcs$0.22873

номер части:
PSMN012-100YS,115
производитель:
Nexperia USA Inc.
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V 60A LFPAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - РФ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - мостовые выпрямители and Тиристоры - СКВ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Nexperia USA Inc. PSMN012-100YS,115 electronic components. PSMN012-100YS,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN012-100YS,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN012-100YS,115 Атрибуты продукта

номер части : PSMN012-100YS,115
производитель : Nexperia USA Inc.
Описание : MOSFET N-CH 100V 60A LFPAK
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 60A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 64nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 3500pF @ 50V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 130W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : LFPAK56, Power-SO8
Пакет / Дело : SC-100, SOT-669

Вы также можете быть заинтересованы в