IXYS - IXFX32N90P

KEY Part #: K6394693

IXFX32N90P Цены (доллары США) [6607шт сток]

  • 1 pcs$6.89498
  • 30 pcs$6.86067

номер части:
IXFX32N90P
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 900V 32A PLUS247.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы специального назначения, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - IGBT - Single, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - Выпрямители - Массивы and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFX32N90P electronic components. IXFX32N90P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFX32N90P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFX32N90P Атрибуты продукта

номер части : IXFX32N90P
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 900V 32A PLUS247
Серии : HiPerFET™, PolarP2™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 900V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 32A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 300 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 215nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 10600pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 960W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : PLUS247™-3
Пакет / Дело : TO-247-3