Toshiba Semiconductor and Storage - TPH2900ENH,L1Q

KEY Part #: K6419029

TPH2900ENH,L1Q Цены (доллары США) [88126шт сток]

  • 1 pcs$0.45546
  • 5,000 pcs$0.45320

номер части:
TPH2900ENH,L1Q
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
MOSFET N-CH 200V 33A SOP8.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - Программируемый однопереход, Модули питания драйверов, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPH2900ENH,L1Q electronic components. TPH2900ENH,L1Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPH2900ENH,L1Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPH2900ENH,L1Q Атрибуты продукта

номер части : TPH2900ENH,L1Q
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : MOSFET N-CH 200V 33A SOP8
Серии : U-MOSVIII-H
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 200V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 33A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 29 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 22nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2200pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 78W (Tc)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 8-SOP Advance (5x5)
Пакет / Дело : 8-PowerVDFN

Вы также можете быть заинтересованы в