IXYS - IXTH10N100D2

KEY Part #: K6395013

IXTH10N100D2 Цены (доллары США) [9448шт сток]

  • 1 pcs$4.82204
  • 30 pcs$4.79805

номер части:
IXTH10N100D2
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - РФ, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Модули питания драйверов and Диоды - Выпрямители - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXTH10N100D2 electronic components. IXTH10N100D2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTH10N100D2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH10N100D2 Атрибуты продукта

номер части : IXTH10N100D2
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 1000V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 10A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 200nC @ 5V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 5320pF @ 25V
Функция FET : Depletion Mode
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 695W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-247
Пакет / Дело : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в