Diodes Incorporated - DMNH6008SCTQ

KEY Part #: K6397782

DMNH6008SCTQ Цены (доллары США) [43097шт сток]

  • 1 pcs$0.85711
  • 50 pcs$0.68986
  • 100 pcs$0.62088
  • 500 pcs$0.48291
  • 1,000 pcs$0.40012

номер части:
DMNH6008SCTQ
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
MOSFET NCH 60V 130A TO220AB.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ, Диоды - Выпрямители - Массивы, Модули питания драйверов, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated DMNH6008SCTQ electronic components. DMNH6008SCTQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMNH6008SCTQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMNH6008SCTQ Атрибуты продукта

номер части : DMNH6008SCTQ
производитель : Diodes Incorporated
Описание : MOSFET NCH 60V 130A TO220AB
Серии : Automotive, AEC-Q101
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 130A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 21nC @ 10V
Vgs (Макс) : 20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2596pF @ 30V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 210W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220AB
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • IRLR024NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRLR2908PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • TK100A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 100A TO-220.

  • TK10A80E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 800V TO220SIS.