Microsemi Corporation - APTGT100H60T3G

KEY Part #: K6532646

APTGT100H60T3G Цены (доллары США) [1180шт сток]

  • 1 pcs$36.71652
  • 10 pcs$34.49222
  • 25 pcs$32.93470
  • 100 pcs$31.15438

номер части:
APTGT100H60T3G
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
IGBT FULL BRIDGE 600V 150A SP3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - JFETs, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис and Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation APTGT100H60T3G electronic components. APTGT100H60T3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGT100H60T3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGT100H60T3G Атрибуты продукта

номер части : APTGT100H60T3G
производитель : Microsemi Corporation
Описание : IGBT FULL BRIDGE 600V 150A SP3
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
конфигурация : Full Bridge Inverter
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 600V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 150A
Мощность - Макс : 340W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 100A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 250µA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 6.1nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : Yes
Рабочая Температура : -40°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : SP3
Комплект поставки устройства : SP3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.