IXYS - IXFN64N50P

KEY Part #: K6397719

IXFN64N50P Цены (доллары США) [4619шт сток]

  • 1 pcs$9.84512
  • 10 pcs$9.10755
  • 25 pcs$8.36924
  • 100 pcs$7.39896
  • 250 pcs$6.79018
  • 500 pcs$6.46237

номер части:
IXFN64N50P
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 500V 61A SOT-227.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы специального назначения, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - РФ, Диоды - Выпрямители - Массивы and Транзисторы - IGBT - Single ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFN64N50P electronic components. IXFN64N50P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN64N50P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN64N50P Атрибуты продукта

номер части : IXFN64N50P
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 500V 61A SOT-227
Серии : PolarHV™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 500V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 61A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 85 mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 150nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 8700pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 700W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Комплект поставки устройства : SOT-227B
Пакет / Дело : SOT-227-4, miniBLOC

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • TK58A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 58A TO-220.

  • TK34A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 34A TO-220.

  • TK100A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 100A TO-220.