Infineon Technologies - FZ1200R45KL3B5NOSA1

KEY Part #: K6532759

FZ1200R45KL3B5NOSA1 Цены (доллары США) [35шт сток]

  • 1 pcs$1004.74831

номер части:
FZ1200R45KL3B5NOSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MODULE IGBT A-IHV190-4.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы специального назначения, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - IGBTs - Массивы and Тиристоры - DIAC, SIDAC ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies FZ1200R45KL3B5NOSA1 electronic components. FZ1200R45KL3B5NOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FZ1200R45KL3B5NOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FZ1200R45KL3B5NOSA1 Атрибуты продукта

номер части : FZ1200R45KL3B5NOSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MODULE IGBT A-IHV190-4
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : -
конфигурация : Single
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 4500V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 1200A
Мощность - Макс : 13500W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.85V @ 15V, 1200A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 5mA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 280nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : No
Рабочая Температура : -50°C ~ 125°C
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : Module
Комплект поставки устройства : Module

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-GB90SA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB90DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • VS-GB75NA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT