Rohm Semiconductor - RBR1LAM60ATR

KEY Part #: K6458065

RBR1LAM60ATR Цены (доллары США) [842155шт сток]

  • 1 pcs$0.04855
  • 3,000 pcs$0.04831
  • 6,000 pcs$0.04538
  • 15,000 pcs$0.04245
  • 30,000 pcs$0.03894

номер части:
RBR1LAM60ATR
производитель:
Rohm Semiconductor
Подробное описание:
DIODE SCHOTTKY 60V 1A PMDTM. Schottky Diodes & Rectifiers 60V Vr 1A Io Schottky Br Diode
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Тиристоры - ТРИАКС, Тиристоры - СКВ and Транзисторы - IGBT - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Rohm Semiconductor RBR1LAM60ATR electronic components. RBR1LAM60ATR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RBR1LAM60ATR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RBR1LAM60ATR Атрибуты продукта

номер части : RBR1LAM60ATR
производитель : Rohm Semiconductor
Описание : DIODE SCHOTTKY 60V 1A PMDTM
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Schottky
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 60V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 530mV @ 1A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : -
Ток - обратная утечка @ Vr : 75µA @ 60V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : SOD-128
Комплект поставки устройства : PMDTM
Рабочая температура - соединение : 150°C (Max)

Вы также можете быть заинтересованы в
  • BYM07-400-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • EGL34G-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 400 Volt 50ns

  • GL34B-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34G-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34D-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 200 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34J-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Rectifiers 600 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM