Vishay Semiconductor Diodes Division - IMBD4148-E3-18

KEY Part #: K6454606

IMBD4148-E3-18 Цены (доллары США) [2995561шт сток]

  • 1 pcs$0.01235
  • 10,000 pcs$0.01163
  • 30,000 pcs$0.01046
  • 50,000 pcs$0.00930
  • 100,000 pcs$0.00872
  • 250,000 pcs$0.00775

номер части:
IMBD4148-E3-18
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100V 150mA 4ns 500mA IFSM
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - IGBT - Single, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - РФ and Диоды - Выпрямители - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division IMBD4148-E3-18 electronic components. IMBD4148-E3-18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IMBD4148-E3-18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IMBD4148-E3-18 Атрибуты продукта

номер части : IMBD4148-E3-18
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23
Серии : Automotive, AEC-Q101
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 75V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 150mA
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1V @ 10mA
скорость : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Обратное время восстановления (trr) : 4ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 2.5µA @ 70V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Комплект поставки устройства : SOT-23
Рабочая температура - соединение : 150°C (Max)

Вы также можете быть заинтересованы в
  • C4D05120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 5A

  • 1N4150W-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns

  • SE20FGHM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.7A DO219AB. Rectifiers 2A,400V ESD PROTECTION, SMF RECT

  • ES07B-GS18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.2A DO219AB. Rectifiers 100 Volt 0.7A 25ns 30 Amp IFSM

  • BYM10-200-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB. Rectifiers 200 Volt 1.0 Amp Glass Passivated

  • BYM10-400-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB. Rectifiers 400 Volt 1.0 Amp Glass Passivated