Infineon Technologies - 6MS30017E43W38169NOSA1

KEY Part #: K6532477

6MS30017E43W38169NOSA1 Цены (доллары США) [1шт сток]

  • 1 pcs$13032.65951

номер части:
6MS30017E43W38169NOSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
IGBT MODULE 690V 1800A.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы специального назначения, Тиристоры - СКВ - Модули and Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies 6MS30017E43W38169NOSA1 electronic components. 6MS30017E43W38169NOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 6MS30017E43W38169NOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

6MS30017E43W38169NOSA1 Атрибуты продукта

номер части : 6MS30017E43W38169NOSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : IGBT MODULE 690V 1800A
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : -
конфигурация : Three Phase Inverter
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1700V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : -
Мощность - Макс : -
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : -
Ток - отсечка коллектора (макс.) : -
Входная емкость (Cies) @ Vce : -
вход : Standard
NTC Термистор : Yes
Рабочая Температура : -25°C ~ 55°C
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : Module
Комплект поставки устройства : Module

Вы также можете быть заинтересованы в
  • GA100SICP12-227

    GeneSiC Semiconductor

    SIC CO-PACK SJT/RECT 100A 1.2KV.

  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A1P35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK1.