Microsemi Corporation - APT106N60B2C6

KEY Part #: K6394749

APT106N60B2C6 Цены (доллары США) [5306шт сток]

  • 1 pcs$8.97875
  • 10 pcs$7.76293
  • 100 pcs$6.59865

номер части:
APT106N60B2C6
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
MOSFET N-CH 600V 106A TO-247.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - стабилитроны - массивы, Модули питания драйверов, Тиристоры - DIAC, SIDAC and Транзисторы специального назначения ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation APT106N60B2C6 electronic components. APT106N60B2C6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT106N60B2C6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT106N60B2C6 Атрибуты продукта

номер части : APT106N60B2C6
производитель : Microsemi Corporation
Описание : MOSFET N-CH 600V 106A TO-247
Серии : CoolMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 106A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 53A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 3.4mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 308nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 8390pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 833W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : T-MAX™ [B2]
Пакет / Дело : TO-247-3 Variant