Toshiba Semiconductor and Storage - TPN7R506NH,L1Q

KEY Part #: K6409525

TPN7R506NH,L1Q Цены (доллары США) [249256шт сток]

  • 1 pcs$0.15584
  • 5,000 pcs$0.15507

номер части:
TPN7R506NH,L1Q
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Тиристоры - ТРИАКС, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Модули питания драйверов and Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPN7R506NH,L1Q electronic components. TPN7R506NH,L1Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPN7R506NH,L1Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPN7R506NH,L1Q Атрибуты продукта

номер части : TPN7R506NH,L1Q
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Серии : U-MOSVIII-H
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 26A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 6.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.5 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 22nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1800pF @ 30V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 700mW (Ta), 42W (Tc)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Пакет / Дело : 8-PowerVDFN

Вы также можете быть заинтересованы в
  • FCD620N60ZF

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-252-3.

  • RFD3055LESM9A

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA.

  • FCD850N80Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 6A DPAK.

  • FCD5N60TM-WS

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK.

  • FDD6N50TM-WS

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 6A DPAK.

  • FDD10AN06A0

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK.