Microsemi Corporation - APT18M80B

KEY Part #: K6395050

APT18M80B Цены (доллары США) [10686шт сток]

  • 1 pcs$4.23953
  • 10 pcs$3.81602
  • 100 pcs$3.13765
  • 500 pcs$2.62883

номер части:
APT18M80B
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
MOSFET N-CH 800V 19A TO-247.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - стабилитроны - одинарные, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - JFETs and Диоды - мостовые выпрямители ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation APT18M80B electronic components. APT18M80B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT18M80B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT18M80B Атрибуты продукта

номер части : APT18M80B
производитель : Microsemi Corporation
Описание : MOSFET N-CH 800V 19A TO-247
Серии : POWER MOS 8™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 800V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 19A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 530 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 120nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 3760pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 500W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-247 [B]
Пакет / Дело : TO-247-3