Vishay Siliconix - SISS67DN-T1-GE3

KEY Part #: K6396127

SISS67DN-T1-GE3 Цены (доллары США) [179720шт сток]

  • 1 pcs$0.20581

номер части:
SISS67DN-T1-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Тиристоры - СКВ and Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SISS67DN-T1-GE3 electronic components. SISS67DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SISS67DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SISS67DN-T1-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SISS67DN-T1-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-
Серии : TrenchFET® Gen III
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 60A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 111nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±25V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 4380pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 65.8W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PowerPAK® 1212-8S
Пакет / Дело : PowerPAK® 1212-8S

Вы также можете быть заинтересованы в