Infineon Technologies - IDW40E65D2FKSA1

KEY Part #: K6441649

IDW40E65D2FKSA1 Цены (доллары США) [30762шт сток]

  • 1 pcs$1.00762
  • 10 pcs$0.90351
  • 100 pcs$0.72620
  • 500 pcs$0.59663
  • 1,000 pcs$0.49435

номер части:
IDW40E65D2FKSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 650V 80A TO247-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) and Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IDW40E65D2FKSA1 electronic components. IDW40E65D2FKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IDW40E65D2FKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IDW40E65D2FKSA1 Атрибуты продукта

номер части : IDW40E65D2FKSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : DIODE GEN PURP 650V 80A TO247-3
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 650V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 80A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 2.3V @ 40A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 75ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 40µA @ 650V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : TO-247-3
Комплект поставки устройства : TO-247-3
Рабочая температура - соединение : -40°C ~ 175°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • CDBDSC10650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 10A 650V

  • CDBDSC5650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 650V

  • VS-8EWS10STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

  • VS-8EWS10STRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

  • VSB20L45-M3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 7.5A P600.

  • VS-C4PH6006LHN3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 2x30A FRED Pt TO-247 LL 3L