номер части :
BSM50GD120DN2G
производитель :
Infineon Technologies
Описание :
IGBT BSM50GD120DN2GBOSA1
Состояние детали :
Obsolete
конфигурация :
Full Bridge
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) :
1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) :
78A
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic :
3.7V @ 15V, 50A
Ток - отсечка коллектора (макс.) :
-
Входная емкость (Cies) @ Vce :
33nF @ 25V
Рабочая Температура :
150°C (TJ)
Тип монтажа :
Chassis Mount
Комплект поставки устройства :
Module