Toshiba Semiconductor and Storage - TK3A60DA(STA4,Q,M)

KEY Part #: K6419179

TK3A60DA(STA4,Q,M) Цены (доллары США) [95702шт сток]

  • 1 pcs$0.45170
  • 50 pcs$0.44946

номер части:
TK3A60DA(STA4,Q,M)
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Тиристоры - СКВ, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва and Транзисторы - Программируемый однопереход ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK3A60DA(STA4,Q,M) electronic components. TK3A60DA(STA4,Q,M) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK3A60DA(STA4,Q,M), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK3A60DA(STA4,Q,M) Атрибуты продукта

номер части : TK3A60DA(STA4,Q,M)
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS
Серии : π-MOSVII
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 2.5A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.8 Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 9nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 380pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 30W (Tc)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220SIS
Пакет / Дело : TO-220-3 Full Pack