Vishay Semiconductor Diodes Division - BYG22DHE3_A/I

KEY Part #: K6439701

BYG22DHE3_A/I Цены (доллары США) [506068шт сток]

  • 1 pcs$0.07309
  • 7,500 pcs$0.06623

номер части:
BYG22DHE3_A/I
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC. Rectifiers 2.0A,200V,25NS, AVAL AEC-Q101 Qualified
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - Программируемый однопереход, Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - РФ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) and Диоды - стабилитроны - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYG22DHE3_A/I electronic components. BYG22DHE3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYG22DHE3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYG22DHE3_A/I Атрибуты продукта

номер части : BYG22DHE3_A/I
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC
Серии : Automotive, AEC-Q101
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Avalanche
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 200V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 2A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.1V @ 2A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 25ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 1µA @ 200V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : DO-214AC, SMA
Комплект поставки устройства : DO-214AC (SMA)
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-6EWL06FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA. Rectifiers 6A 600V 59ns Ultrafast

  • BYG22D-M3/TR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC. Rectifiers 2A,200V,25nS UF Fast Avalanche,SMD

  • BYG22B-E3/TR3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC. Rectifiers 2.0 Amp 100 Volt

  • BYG10G-M3/TR3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 400V 1.5A. Rectifiers 1.5A,400V VGSC-STD Avalanche SMD

  • BYG10J-M3/TR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 600V 1.5A. Rectifiers 1.5A,600V VGSC-STD Avalanche SMD

  • BYG10M-M3/TR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A. Rectifiers 1.5A,1000V VGSC-STD Avalanche SMD