Infineon Technologies - IPP60R330P6XKSA1

KEY Part #: K6402348

IPP60R330P6XKSA1 Цены (доллары США) [2734шт сток]

  • 1 pcs$0.86547
  • 10 pcs$0.78185
  • 100 pcs$0.62824

номер части:
IPP60R330P6XKSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - РФ, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Транзисторы - IGBT - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPP60R330P6XKSA1 electronic components. IPP60R330P6XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP60R330P6XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP60R330P6XKSA1 Атрибуты продукта

номер части : IPP60R330P6XKSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
Серии : CoolMOS™ P6
Состояние детали : Obsolete
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 12A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 330 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 370µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 22nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1010pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 93W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : PG-TO220-3
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в