Vishay Siliconix - SI4442DY-T1-E3

KEY Part #: K6396451

SI4442DY-T1-E3 Цены (доллары США) [52950шт сток]

  • 1 pcs$0.73844
  • 2,500 pcs$0.69120

номер части:
SI4442DY-T1-E3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы and Транзисторы - IGBTs - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SI4442DY-T1-E3 electronic components. SI4442DY-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4442DY-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4442DY-T1-E3 Атрибуты продукта

номер части : SI4442DY-T1-E3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
Серии : TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 15A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 50nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±12V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : -
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1.6W (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 8-SO
Пакет / Дело : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Вы также можете быть заинтересованы в