Infineon Technologies - FF225R12ME4PBPSA1

KEY Part #: K6532667

FF225R12ME4PBPSA1 Цены (доллары США) [769шт сток]

  • 1 pcs$60.33190

номер части:
FF225R12ME4PBPSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MEDIUM POWER ECONO.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис and Диоды - мостовые выпрямители ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies FF225R12ME4PBPSA1 electronic components. FF225R12ME4PBPSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FF225R12ME4PBPSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FF225R12ME4PBPSA1 Атрибуты продукта

номер части : FF225R12ME4PBPSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MEDIUM POWER ECONO
Серии : EconoDUAL™ 3
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
конфигурация : Half Bridge
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 450A
Мощность - Макс : 20mW
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 225A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 3mA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 13nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : Yes
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : Module
Комплект поставки устройства : Module

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.