Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AONR21321

KEY Part #: K6395864

AONR21321 Цены (доллары США) [625980шт сток]

  • 1 pcs$0.05909

номер части:
AONR21321
производитель:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Подробное описание:
MOSFET P-CH 30V 3X3 DFN EP.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Модули, Тиристоры - СКВ - Модули, Модули питания драйверов, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - JFETs, Транзисторы специального назначения and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONR21321 electronic components. AONR21321 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AONR21321, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AONR21321 Атрибуты продукта

номер части : AONR21321
производитель : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Описание : MOSFET P-CH 30V 3X3 DFN EP
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 24A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16.5 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 34nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±25V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1180pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 4.1W (Ta), 24W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 8-DFN-EP (3x3)
Пакет / Дело : 8-PowerVDFN

Вы также можете быть заинтересованы в