Panasonic Electronic Components - DB2232000L

KEY Part #: K6455859

DB2232000L Цены (доллары США) [867384шт сток]

  • 1 pcs$0.04372
  • 3,000 pcs$0.04351
  • 6,000 pcs$0.04109
  • 15,000 pcs$0.03746
  • 30,000 pcs$0.03505

номер части:
DB2232000L
производитель:
Panasonic Electronic Components
Подробное описание:
DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A MINI2.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Модули питания драйверов, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы and Транзисторы - IGBTs - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Panasonic Electronic Components DB2232000L electronic components. DB2232000L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DB2232000L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DB2232000L Атрибуты продукта

номер части : DB2232000L
производитель : Panasonic Electronic Components
Описание : DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A MINI2
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Schottky
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 30V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 1.5A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 460mV @ 1.5A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 16ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 100µA @ 30V
Емкость @ Vr, F : 48pF @ 10V, 1MHz
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : SOD-123F
Комплект поставки устройства : Mini2-F4-B
Рабочая температура - соединение : 125°C (Max)

Вы также можете быть заинтересованы в
  • BAT54E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.

  • BAS16E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 85V 0.25A

  • DB3X317K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 30V 1A MINI3.

  • CMDD6001 TR

    Central Semiconductor Corp

    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA

  • VS-5EWH06FNTR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers Hyperfast 5A 600V 18ns

  • 1N4150W-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns