Microsemi Corporation - APT65GP60J

KEY Part #: K6532585

APT65GP60J Цены (доллары США) [2534шт сток]

  • 1 pcs$17.08650
  • 10 pcs$15.80641

номер части:
APT65GP60J
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
IGBT 600V 130A 431W SOT227.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Транзисторы - IGBT - Модули, Тиристоры - СКВ, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - ТРИАКС and Диоды - стабилитроны - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation APT65GP60J electronic components. APT65GP60J can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT65GP60J, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT65GP60J Атрибуты продукта

номер части : APT65GP60J
производитель : Microsemi Corporation
Описание : IGBT 600V 130A 431W SOT227
Серии : POWER MOS 7®
Состояние детали : Active
Тип IGBT : PT
конфигурация : Single
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 600V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 130A
Мощность - Макс : 431W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.7V @ 15V, 65A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 7.4nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : No
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : SOT-227-4, miniBLOC
Комплект поставки устройства : ISOTOP®

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.