IXYS - IXTP230N04T4M

KEY Part #: K6394622

IXTP230N04T4M Цены (доллары США) [46760шт сток]

  • 1 pcs$0.83620

номер части:
IXTP230N04T4M
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Тиристоры - DIAC, SIDAC and Диоды - мостовые выпрямители ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXTP230N04T4M electronic components. IXTP230N04T4M can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTP230N04T4M, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP230N04T4M Атрибуты продукта

номер части : IXTP230N04T4M
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH
Серии : TrenchT4™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 40V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 230A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.9 mOhm @ 115A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 140nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±15V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 7400pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 40W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220 Isolated Tab
Пакет / Дело : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab