Global Power Technologies Group - GSID200A170S3B1

KEY Part #: K6532559

GSID200A170S3B1 Цены (доллары США) [660шт сток]

  • 1 pcs$70.68933
  • 4 pcs$70.33764

номер части:
GSID200A170S3B1
производитель:
Global Power Technologies Group
Подробное описание:
SILICON IGBT MODULES.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Модули питания драйверов, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF and Тиристоры - ТРИАКС ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Global Power Technologies Group GSID200A170S3B1 electronic components. GSID200A170S3B1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GSID200A170S3B1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GSID200A170S3B1 Атрибуты продукта

номер части : GSID200A170S3B1
производитель : Global Power Technologies Group
Описание : SILICON IGBT MODULES
Серии : Amp+™
Состояние детали : Active
Тип IGBT : -
конфигурация : 2 Independent
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 400A
Мощность - Макс : 1630W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 200A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 26nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : No
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : D-3 Module
Комплект поставки устройства : D3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.