Vishay Siliconix - SI4812BDY-T1-GE3

KEY Part #: K6405472

SI4812BDY-T1-GE3 Цены (доллары США) [1654шт сток]

  • 2,500 pcs$0.21927

номер части:
SI4812BDY-T1-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы специального назначения, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - РФ, Диоды - Выпрямители - Массивы and Диоды - стабилитроны - массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SI4812BDY-T1-GE3 electronic components. SI4812BDY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4812BDY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4812BDY-T1-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SI4812BDY-T1-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
Серии : LITTLE FOOT®
Состояние детали : Obsolete
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 7.3A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 13nC @ 5V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : -
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1.4W (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 8-SO
Пакет / Дело : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Вы также можете быть заинтересованы в
  • CPH6337-TL-E

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 12V 3.5A CPH6.

  • ZVN3320A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.1A TO92-3.

  • 2SK3821-DL-E

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 100V 40A SMP-FD.

  • FDD8445-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 70A DPAK.

  • 2SK3817-DL-E

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 60A SMP-FD.

  • 2SK3816-DL-E

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 40A SMP-FD.