PMEG2010BER,115 Цены (доллары США) [944660шт сток]
- 1 pcs$0.04132
- 3,000 pcs$0.04111
- 6,000 pcs$0.03862
- 15,000 pcs$0.03613
- 30,000 pcs$0.03322
- номер части:
- PMEG2010BER,115
- производитель:
- Nexperia USA Inc.
- Подробное описание:
- DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123W. Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY DIODE G3010BEP/SOD
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - JFETs, Тиристоры - СКВ - Модули and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Nexperia USA Inc. PMEG2010BER,115 electronic components. PMEG2010BER,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMEG2010BER,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PMEG2010BER,115 Атрибуты продукта
номер части :
PMEG2010BER,115
производитель :
Nexperia USA Inc.
Описание :
DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123W
Серии :
-
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Schottky
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
20V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
450mV @ 1A
скорость :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
-
Ток - обратная утечка @ Vr :
50µA @ 20V
Емкость @ Vr, F :
185pF @ 1V, 1MHz
Тип монтажа :
Surface Mount
Пакет / Дело :
SOD-123W
Комплект поставки устройства :
CFP3
Рабочая температура - соединение :
150°C (Max)
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
BAS16-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 75V 300MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 300mA 100V
-
-
BAS16E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 85V 0.25A
-
-
CMDD6001 TR
Central Semiconductor Corp
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA
-
VS-5EWH06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers Hyperfast 5A 600V 18ns
Горячие части
- BYV29B-600PJ
- RL104-N-2-3-AP
- 1N3172A
- CMSH2-40M BK
- VI30120SGHM3/4W
- JAN1N1614R
- 1N4946GP-M3/54
- UES2605R
- CD214B-F3150
- SB340S-E3/54
- DSR01S30SC(TPL3)
- RGP02-16EHE3/53
- ES3GHE3/57T
- UF8CT-E3/4W
- S1DA-E3/5AT
- 1N4446_T50R
- HFA08TB60STRR
- PR3005-T
- PR2006G-T
- STTH20R04W
- SIDC73D170E6X1SA2
- CD214A-B240LF
- 10WQ045FN
- MA2711100L
- MMBD914-7
- 10ETF02STRL
- IRKE91/04A
- 30EPF12
- 20ETF02
- BAT42W-7
- SM4933A-TP
- FR154S-TP
- FR604-AP
- GIB1403-E3/81
- SE40PGHM3_A/H
- RN 1ZV
- CDBB3150-G
- PMEG2010AET,215
- 1N4005GPE-E3/54
- BAS16WF