IXYS - IXTH26N60P

KEY Part #: K6394789

IXTH26N60P Цены (доллары США) [18247шт сток]

  • 1 pcs$2.61033
  • 30 pcs$2.59734

номер части:
IXTH26N60P
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 600V 26A TO-247.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - РФ, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - JFETs and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXTH26N60P electronic components. IXTH26N60P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTH26N60P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH26N60P Атрибуты продукта

номер части : IXTH26N60P
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 600V 26A TO-247
Серии : PolarHV™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 26A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 270 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 72nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 4150pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 460W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-247 (IXTH)
Пакет / Дело : TO-247-3