ON Semiconductor - FDMS86150ET100

KEY Part #: K6393914

FDMS86150ET100 Цены (доллары США) [44857шт сток]

  • 1 pcs$0.87600
  • 3,000 pcs$0.87165

номер части:
FDMS86150ET100
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V 16A POWER56.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы специального назначения, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - стабилитроны - массивы and Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FDMS86150ET100 electronic components. FDMS86150ET100 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDMS86150ET100, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMS86150ET100 Атрибуты продукта

номер части : FDMS86150ET100
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET N-CH 100V 16A POWER56
Серии : PowerTrench®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 16A (Ta), 128A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.85 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 62nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 4065pF @ 50V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : Power56
Пакет / Дело : 8-PowerTDFN

Вы также можете быть заинтересованы в