Vishay Semiconductor Diodes Division - 1N5627-TR

KEY Part #: K6440223

1N5627-TR Цены (доллары США) [256926шт сток]

  • 1 pcs$0.15192
  • 2,500 pcs$0.15116
  • 5,000 pcs$0.14396

номер части:
1N5627-TR
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE AVALANCHE 800V 3A SOD64. Rectifiers 3.0 Amp 800 Volt
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы специального назначения, Транзисторы - IGBT - Модули, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - РФ and Модули питания драйверов ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 1N5627-TR electronic components. 1N5627-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5627-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5627-TR Атрибуты продукта

номер части : 1N5627-TR
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE AVALANCHE 800V 3A SOD64
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Avalanche
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 800V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 3A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1V @ 3A
скорость : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 7.5µs
Ток - обратная утечка @ Vr : 1µA @ 800V
Емкость @ Vr, F : 60pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : SOD-64, Axial
Комплект поставки устройства : SOD-64
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 175°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • IDB30E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A

  • IDB30E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263.

  • SE10FJ-M3/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 600V ESD Prot SMF Rectifier

  • BYM07-200/32

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213.

  • VS-HFA04TB60SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A D2PAK.

  • UH2DHE3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,200V,25ns, SMB Planar FER RECT, SMD