Global Power Technologies Group - GSID200A120S5C1

KEY Part #: K6532474

GSID200A120S5C1 Цены (доллары США) [494шт сток]

  • 1 pcs$93.86639
  • 10 pcs$89.33491
  • 25 pcs$86.31392

номер части:
GSID200A120S5C1
производитель:
Global Power Technologies Group
Подробное описание:
IGBT MODULE 1200V 335A.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Транзисторы - IGBT - Single ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Global Power Technologies Group GSID200A120S5C1 electronic components. GSID200A120S5C1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GSID200A120S5C1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GSID200A120S5C1 Атрибуты продукта

номер части : GSID200A120S5C1
производитель : Global Power Technologies Group
Описание : IGBT MODULE 1200V 335A
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : -
конфигурация : Three Phase Inverter
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 335A
Мощность - Макс : -
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 200A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 22.4nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : Yes
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : Module
Комплект поставки устройства : Module

Вы также можете быть заинтересованы в
  • GA100SICP12-227

    GeneSiC Semiconductor

    SIC CO-PACK SJT/RECT 100A 1.2KV.

  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A1P35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK1.