Vishay Semiconductor Diodes Division - FESB16DT-E3/45

KEY Part #: K6455874

FESB16DT-E3/45 Цены (доллары США) [52836шт сток]

  • 1 pcs$0.71913
  • 10 pcs$0.64722
  • 25 pcs$0.61076
  • 100 pcs$0.52037
  • 250 pcs$0.48861
  • 500 pcs$0.42753
  • 1,000 pcs$0.33510
  • 2,500 pcs$0.31199
  • 5,000 pcs$0.30813

номер части:
FESB16DT-E3/45
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AB. Rectifiers 16 Amp 200 Volt 35ns
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Модули питания драйверов, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - РФ and Транзисторы - IGBT - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division FESB16DT-E3/45 electronic components. FESB16DT-E3/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FESB16DT-E3/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FESB16DT-E3/45 Атрибуты продукта

номер части : FESB16DT-E3/45
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AB
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 200V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 16A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 975mV @ 16A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 35ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 10µA @ 200V
Емкость @ Vr, F : 175pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Комплект поставки устройства : TO-263AB
Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • CMDD6001 TR

    Central Semiconductor Corp

    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA

  • VS-5EWH06FNTR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers Hyperfast 5A 600V 18ns

  • 1N4150W-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns

  • BAT43W-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30Volt 200mA 4A IFSM

  • 1N4150W-HE3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns

  • SD103AW-HE3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 350MA 40V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 40Volt 15A IFSM AUTO