Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-20MT120UFP

KEY Part #: K6532801

VS-20MT120UFP Цены (доллары США) [1613шт сток]

  • 1 pcs$26.84784
  • 105 pcs$25.56935

номер части:
VS-20MT120UFP
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
IGBT 1200V 40A 240W MTP. Bridge Rectifiers 1200 Volt 40 Amp Full Bridge
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - JFETs, Диоды - РФ, Модули питания драйверов and Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-20MT120UFP electronic components. VS-20MT120UFP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-20MT120UFP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-20MT120UFP Атрибуты продукта

номер части : VS-20MT120UFP
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : IGBT 1200V 40A 240W MTP
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : NPT
конфигурация : Full Bridge Inverter
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 40A
Мощность - Макс : 240W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 4.66V @ 15V, 40A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 250µA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 3.79nF @ 30V
вход : Standard
NTC Термистор : No
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : 16-MTP Module
Комплект поставки устройства : MTP

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-GB90SA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB90DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • VS-GB75NA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT