ON Semiconductor - FDS6682

KEY Part #: K6392768

FDS6682 Цены (доллары США) [146686шт сток]

  • 1 pcs$0.25342
  • 2,500 pcs$0.25215

номер части:
FDS6682
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы специального назначения, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - РФ, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FDS6682 electronic components. FDS6682 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDS6682, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDS6682 Атрибуты продукта

номер части : FDS6682
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC
Серии : PowerTrench®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 14A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.5 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 31nC @ 5V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2310pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.5W (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 8-SOIC
Пакет / Дело : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Вы также можете быть заинтересованы в