Toshiba Semiconductor and Storage - TK16E60W5,S1VX

KEY Part #: K6402335

TK16E60W5,S1VX Цены (доллары США) [2740шт сток]

  • 1 pcs$1.41905

номер части:
TK16E60W5,S1VX
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
MOSFET N-CH 600V 15.8A TO-220AB.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - JFETs, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - РФ, Диоды - стабилитроны - массивы and Тиристоры - СКВ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK16E60W5,S1VX electronic components. TK16E60W5,S1VX can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK16E60W5,S1VX, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK16E60W5,S1VX Атрибуты продукта

номер части : TK16E60W5,S1VX
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : MOSFET N-CH 600V 15.8A TO-220AB
Серии : DTMOSIV
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 15.8A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 230 mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 790µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 43nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1350pF @ 300V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 130W (Tc)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в